半導體poly gate
2019年6月15日—我们知道栅极的Poly是需要通过掺杂(doping)来降低阻值的,但是这样的doping在栅极电压下会发生doping浓度的变化,比如N-poly的NMOS加正电压,则N-type载流 ...,2021年7月24日—Gate蝕刻先挖SIO,再挖polysilicon,再挖沒有被poly覆蓋的Gateoxide這時候...
Why PolySi to HKMG
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2023年6月11日—Polysilicon本身有電容,造成閘極氧化層電容Cox變小(電容串聯越串越小)。閘極氧化層SiO2dryoxide換成High-K,Polygate換成metalgate ...
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